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    The Modulation Effect of LPCVD-Si x N y Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure.
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 4828-4834
    academicJournal
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    Effects of sidewall spacer layers on thermal and low frequency noise performance of SOI UTB MOSFETs.
    Bhattacherjee, Swagata ; Biswas, Abhijit
    In: Microsystem Technologies, Jg. 28 (2022-03-01), Heft 3, S. 653-658
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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    Julia E. Beelitz, Jonas Pfister: Tourismusphilosophie 2023, utb aus dem UVK Verlag ISBN 978-3-8252-5911-2.
    Baumgartner, Christian
    In: TW: Zeitschrift fuer Tourismuswissenschaft, Jg. 15 (2023-08-01), Heft 2, S. 228-229
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Development and evaluation of an Urdu treebank (CLE-UTB) and a statistical parser.
    Ehsan, Toqeer ; Hussain, Sarmad
    In: Language Resources & Evaluation, Jg. 55 (2021-06-01), Heft 2, S. 287-326
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current.
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    academicJournal
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    Use of spectral decomposition in identifying stratigraphic baffles below seismic resolution; A case study of UTB field, offshore Niger Delta.
    Durogbitan, Abimbola ; Simon, Eyogwe ; et al.
    In: Journal of Applied Geophysics, Jg. 217 (2023-10-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Investigation of the UTB-InAs-MOSFETs structure.
    Ammi, Sofiane ; Aissat, Abdelkader ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 96 (2019-06-15), S. 41-45
    Online academicJournal
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    View record from ScienceDirect (Volltext)
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    HAD fabricated on UTB AlGaN/GaN heterostructure for high‐sensitivity zero‐bias microwave detection.
    Yun, Yu ; Xiong, Wei ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 55 (2019-11-01), Heft 23, S. 1303-1305
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique.
    Zheng, Zejie ; Yu, Xiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    academicJournal
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs.
    Wen Hsin Chang ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615-4621
    academicJournal
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs.
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    academicJournal
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    Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model.
    Maity, Subir Kumar ; Pandit, Soumya
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 101 (2017), S. 362-372
    Online academicJournal
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    Kerstin Heuwinkel: Tourismussoziologie. München: UTB-UVK, 2019, 229 Seiten.
    Kagermeier, Andreas
    In: TW: Zeitschrift fuer Tourismuswissenschaft, Jg. 11 (2019-04-01), Heft 1, S. 178-180
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Zero temperature-coefficient bias point over wide range of temperatures for single- and double-gate UTB-SOI n-MOSFETs with trapped charges.
    Sahu, P.K. ; Mohapatra, S.K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 31 (2015-03-01), S. 175-183
    Online academicJournal
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    Binary alloy enabled gate work function engineering of nanoscale UTB-GeOI MOSFETs for mixed-signal system-on-chip applications.
    Mondal, Chandrima ; Biswas, Abhijit
    In: Superlattices & Microstructures, Jg. 75 (2014-11-01), S. 118-126
    Online academicJournal
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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs.
    Schwarz, Mike ; Kloes, Alexander
    In: Solid-State Electronics, Jg. 99 (2014-09-01), S. 65-77
    Online academicJournal
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects.
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance.
    Karsenty, A. ; Chelly, A.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
    Online academicJournal
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach.
    Chou, Shao-Heng ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1485-1489
    academicJournal
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    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET.
    Gnani, Elena ; Gnudi, Antonio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 941-948
    academicJournal
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