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    Investigation of the UTB-InAs-MOSFETs structure
    Ammi, Sofiane ; Aissat, Abdelkader ; et al.
    In: ISSN: 1369-8001 ; Materials Science in Semiconductor Processing ; https://hal.science/hal-03140498 ; Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 96, pp.41-45. ⟨10.1016/j.mssp.2019.02.025⟩, 2019
    Online academicJournal
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    Investigation of the UTB-InAs-MOSFETs structure
    Ammi, Sofiane ; Aissat, Abdelkader ; et al.
    In: ISSN: 1369-8001 ; Materials Science in Semiconductor Processing ; https://hal.science/hal-03140498 ; Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 96, pp.41-45. ⟨10.1016/j.mssp.2019.02.025⟩, 2019
    Online academicJournal
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    Development of the Internet-Delivered Cognitive Behaviour Therapy Undesirable Therapist Behaviours Scale (ICBT-UTBS)
    Hadjistavropoulos, Heather D. ; Gullickson, Kirsten M. ; et al.
    In: Internet Interventions, Vol 18, Iss , Pp - (2019, 2019
    Online academicJournal
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    Development of the Internet-Delivered Cognitive Behaviour Therapy Undesirable Therapist Behaviours Scale (ICBT-UTBS)
    Hadjistavropoulos, Heather D. ; Gullickson, Kirsten M. ; et al.
    2019
    Online academicJournal
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    Development of the Internet-Delivered Cognitive Behaviour Therapy Undesirable Therapist Behaviours Scale (ICBT-UTBS)
    Hadjistavropoulos, Heather D. ; Gullickson, Kirsten M. ; et al.
    In: $2, 2019
    Online academicJournal
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-01653010 ; Solid-State Electronics, 2011, 57 (1), pp.61 - 66. ⟨10.1016/j.sse.2010.11.034⟩, 2011
    Online academicJournal
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-01653010 ; Solid-State Electronics, 2011, 57 (1), pp.61 - 66. ⟨10.1016/j.sse.2010.11.034⟩, 2011
    Online academicJournal
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01653010 ; Solid-State Electronics, Elsevier, 2011, 57 (1), pp.61 - 66. ⟨10.1016/j.sse.2010.11.034⟩, 2011
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    High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack
    Lim, T.C. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-00471807 ; Solid-State Electronics, 2009, 53, pp.433-437. ⟨10.1016/j.sse.2008.09.022⟩, 2009
    Online academicJournal
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    High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack
    Lim, T.C. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-00471807 ; Solid-State Electronics, 2009, 53, pp.433-437. ⟨10.1016/j.sse.2008.09.022⟩, 2009
    Online academicJournal
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    High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack
    Lim, T.C. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00471807 ; Solid-State Electronics, Elsevier, 2009, 53, pp.433-437. ⟨10.1016/j.sse.2008.09.022⟩, 2009
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