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    High frequency performance of sub-100nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack : Ultimate integration on silicon
    Lim, T. C. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 433-437
    Online Konferenz
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs : EUROSOI
    Moldovan, O. ; Chaves, F. A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 12, S. 1867-1871
    Online Konferenz
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    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study : Ultimate Integration of Silicon; Papers selected from the 2006 ULIS conference
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 51 (2007), Heft 4, S. 611-616
    Online Konferenz
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    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants : European solid-state device research conference; Papers selected from the 35th European solid-state device research conference: ESSDERC '05
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 50 (2006), Heft NO 4, S. 660-667
    Online Konferenz
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    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation : Ultimate Integration of Silicon; ULIS conference
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online Konferenz
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    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS : Ultimate integration of silicon
    Schulz, T. ; Pacha, C. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 48 (2004), Heft NO 4, S. 521-527
    Online Konferenz
    Zugriff:
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