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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current.
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs.
    Wen Hsin Chang ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615-4621
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs.
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Nanowire and planar UTB SOI Schottky Barrier MOSFETs with dopant segregation.
    Knoll, L. ; Schafer, A. ; et al.
    In: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012, S. 45-48
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach.
    Chou, Shao-Heng ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1485-1489
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET.
    Gnani, Elena ; Gnudi, Antonio ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 941-948
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs.
    Arshad, Mohd Khairuddin Md ; Raskin, Jean-Pierre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Embedded Metal Source/Drain (eMSD) for series resistance reduction in In0.53Ga0.47As n-channel Ultra-Thin Body Field-Effect Transistor (UTB-FET).
    Subramanian, Sujith ; Ivana ; et al.
    In: Proceedings of Technical Program of 2012 VLSI Technology, System & Application, 2012, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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