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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    KARSENTY, A ; CHELLY, A
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
    Online academicJournal
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    KUMAR, Ajit ; PRAMOD KUMAR, TIWARI
    In: Solid-state electronics, Jg. 95 (2014), S. 52-60
    Online academicJournal
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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    SCHWARZ, Mike ; KLOES, Alexander
    In: Solid-state electronics, Jg. 99 (2014), S. 65-77
    Online academicJournal
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    Sub-25 nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    SAMSUDIN, K ; CHENG, B ; et al.
    In: Papers selected from the 35th European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC'05, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 660-667
    Online Konferenz
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    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15 nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    SAMSUDIN, K ; CHENG, B ; et al.
    In: 2005 ULIS Conference. Selected papers, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online Konferenz
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    CHOU, Shao-Heng ; FAN, Ming-Long ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 4, S. 1485-1489
    academicJournal
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    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    HU, Vita Pi-Ho ; FAN, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 12 (2013), Heft 4, S. 524-531
    academicJournal
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    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    GNANI, Elena ; GNUDI, Antonio ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 4, S. 941-948
    academicJournal
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    KHAIRUDDIN, Mohd ; RASKIN, Jean-Pierre ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    academicJournal
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    Simulation of Ab Initio Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    RIDDET, Craig ; ALEXANDER, Craig ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 3, S. 600-608
    academicJournal
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    LIME, F ; RITZENTHALER, R ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 57 (2011), Heft 1, S. 61-66
    Online academicJournal
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k - p schrödinger equation
    BAUMGARTNER, Oskar ; KARNER, Markus ; et al.
    In: Selected Full-Length Extended Papers from the EUROSOI 2009 Conference, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 143-148
    Online academicJournal
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    WINDBACHER, Thomas ; SVERDLOV, Viktor ; et al.
    In: Selected Full-Length Extended Papers from the EUROSOI 2009 Conference, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 137-142
    Online academicJournal
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 5, S. 545-551
    Online academicJournal
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    High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack
    TAO CHUAN, LIM ; ROZEAU, Olivier ; et al.
    In: Special Issue with Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference, Ulis 2008, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 433-437
    Online academicJournal
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 53 (2009), Heft 5, S. 540-547
    Online academicJournal
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    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    YUNPENG, PEI ; RU, HUANG ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 5, S. 1203-1210
    academicJournal
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    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    WEI, KE ; XU, HAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 5, S. 577-583
    academicJournal
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    Carrier mobility/transport in undoped-UTB DG FinFETs
    CHOWDHURY, Murshed M ; TRIVEDI, Vishal P ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 5, S. 1125-1131
    academicJournal
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    Atomistic approach to thickness-dependent bandstructure calculation of InSb UTB
    XIMENG, GUAN ; ZHIPING, YU
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 101-105
    academicJournal
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