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    Mobility Extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness
    Schmidt, M. ; Lemme, Max C. ; et al.
    In: Max Lemme ULIS 2009, 2009, S. 27-30
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation
    Gudmundsson, Valur ; Hellström, Per-Erik ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009), Heft 5, S. 541-543
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation
    Gudmundsson, Valur ; Hellström, Per-Erik ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009), Heft 5, S. 541-543
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    SB-MOSFETs in UTB-SOI featuring PtSi source/drain with dopant segregation
    Zhang, Z ; Qui, Z ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    SB-MOSFETs in UTB-SOI featuring PtSi source/drain with dopant segregation
    Zhang, Zhen ; Qiu, Zhijun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?

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