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    Optimal UTB FD/SOI Device Structure Using Thin BOX for Sub-50-nm SRAM Design.
    Mukhopadhyay, Saibal ; Kim, Keunwoo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-04-01), Heft 4, S. 284-287
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation.
    Gudmundsson, Valur ; Hellström, Per-Erik ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-05-01), Heft 5, S. 541-543
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation.
    Zhang, Zhen ; Qiu, Zhijun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Experimental Study on Superior Mobility in (110)-Oriented UTB SOI pMOSFETs.
    Tsutsui, Gen ; Saitoh, Masumi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-11-01), Heft 11, S. 836-838
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Hole Transport in UTB MOSFETs in Strained-Si Directly on Insulator With Strained-Si Thickness Less Than 5 nm.
    Aberg, Ingvar ; Hoyt, Judy L.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-09-01), Heft 9, S. 661-663
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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