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    Optimal UTB FD/SOI device structure using thin BOX for sub-50-nm SRAM design
    Wang, Xinlin ; Oldiges, P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-04-01), S. 284-287
    Online unknown
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    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation
    Hellström, Per-Erik ; Zhang, Shi-Li ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-05-01), S. 541-543
    Online unknown
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    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation
    Hellström, Per-Erik ; Zhang, Zhen ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), S. 125-127
    Online unknown
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    Experimental study on superior mobility in [110]-oriented UTB SOI pMOSFETs
    Tsutsui, Gen ; Saitoh, Masumi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-11-01), S. 836-838
    Online unknown
    Zugriff:
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    Hole transport in UTB MOSFETs in strained-Si directly on insulator with strained-Si thickness less than 5 nm
    Åberg, Ingvar ; Hoyt, J.L.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-09-01), S. 661-663
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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