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    Optimal UTB FD/SOI Device Structure Using Thin BOX for Sub-50-nm SRAM Design
    Mukhopadhyay, S. ; Kim, K. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 27 (2006), Heft 4, S. 284-287
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation
    Gudmundsson, V. ; Hellstrom, P. E. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 30 (2009), Heft 5, S. 541-543
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation
    Zhang, Zhen ; Qiu, Zhijun ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation
    Zhang, Zhen ; Qiu, Zhijun ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation
    Zhang, Z. ; Qiu, Z. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Experimental Study on Superior Mobility in (110)-Oriented UTB SOI pMOSFETs
    Tsutsui, G. ; Saitoh, M. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 26 (2005), Heft 11, S. 836-838
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Hole Transport in UTB MOSFETs in Strained-Si Directly on Insulator With Strained-Si Thickness Less Than 5 nm
    Aberg, I. ; Hoyt, J. L.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 26 (2005), Heft 9, S. 661-663
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?

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