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    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation
    GUDMUNDSSON, Valur ; HELLSTRÖM, Per-Erik ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 5, S. 541-543
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation
    ZHEN, ZHANG ; ZHIJUN, QIU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Hole transport in UTB MOSFETs in strained-Si directly on insulator with strained-Si thickness less than 5 nm
    ABERG, Ingvar ; HOYT, Judy L
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 9, S. 661-663
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Experimental study on superior mobility in (110)-oriented UTB SOI pMOSFETs
    TSUTSUI, Gen ; SAITOH, Masumi ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 11, S. 836-838
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation
    Hellström, Per-Erik ; Zhang, Shi-Li ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-05-01), S. 541-543
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation
    Hellström, Per-Erik ; Zhang, Zhen ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), S. 125-127
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Experimental study on superior mobility in [110]-oriented UTB SOI pMOSFETs
    Tsutsui, Gen ; Saitoh, Masumi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-11-01), S. 836-838
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Hole transport in UTB MOSFETs in strained-Si directly on insulator with strained-Si thickness less than 5 nm
    Åberg, Ingvar ; Hoyt, J.L.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-09-01), S. 661-663
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?

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