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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 22 (2022), S. 8-13
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    Hu, V. P. ; Fan, M. L. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, Jg. 12 (2013), Heft 4, S. 524-531
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Atomistic Approach to Thickness-Dependent Bandstructure Calculation of InSb UTB
    Guan, X. ; Yu, Z.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 101-105
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations.
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 8-13
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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