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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 22 (2022), S. 8-13
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Nalin Vilochan Mishra ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 8-13
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    HU, Vita Pi-Ho ; FAN, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 12 (2013), Heft 4, S. 524-531
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Atomistic approach to thickness-dependent bandstructure calculation of InSb UTB
    XIMENG, GUAN ; ZHIPING, YU
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 101-105
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Atomistic Approach to Thickness-Dependent Bandstructure Calculation of InSb UTB
    Guan, X. ; Yu, Z.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 101-105
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations.
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 8-13
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    Chuang, Ching-Te ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 12 (2013-07-01), S. 524-531
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Atomistic Approach to Thickness-Dependent Bandstructure Calculation of InSb UTB
    Yu, Zhiping ; Guan, Ximeng
    In: IEEE Transactions On Nanotechnology, Jg. 6 (2007), S. 101-105
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?

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