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    Investigation of the UTB-InAs-MOSFETs structure
    Ammi, Sofiane ; Aissat, Abdelkader ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 96 (2019), S. 41-45
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Zero temperature-coefficient bias point over wide range of temperatures for single- and double-gate UTB-SOI n-MOSFETs with trapped charges
    Sahu, P.K. ; Mohapatra, S.K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 31 (2015-03-01), S. 175-183
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of the UTB-InAs-MOSFETs structure
    Bollaert, Sylvain ; Wichmann, Nicolas ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 96 (2019-06-01), S. 41-45
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Zero temperature-coefficient bias point over wide range of temperatures for single- and double-gate UTB-SOI n-MOSFETs with trapped charges
    Prasanna Kumar Sahu ; Sushanta Kumar Mohapatra ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 31 (2015-03-01), S. 175-183
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?

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