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    Influence of gold nanostructures on excited state intramolecular proton transfer in multidomain HTTH dye.
    Hudzenko, I. I. ; Lopatynskyi, A. M. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 26 (2023-10-01), Heft 4, S. 457-462
    Online academicJournal
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    Luminescent and Raman study of nanostructures formed upon annealing of SiO<subscript>x</subscript>:Sm films.
    Michailovska, K. V. ; Indutnyi, I. Z. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 26 (2023), Heft 1, S. 68-75
    Online academicJournal
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    Thermostimulated luminescence and photoluminescence of microcrystalline zinc sulphide ZnS:Cu.
    Kutovyy, S. Yu. ; Stanovyi, O. P.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 25 (2022-10-01), Heft 4, S. 422-428
    Online academicJournal
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    Influence of the quantum dots bandgap and their dispersion on the loss of luminescent quanta.
    Kulish, M. R. ; Kostylyov, V. P. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 23 (2020-04-01), Heft 2, S. 155-159
    Online academicJournal
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    Observation of room-temperature afterglow in Polyamide-6 under UV excitation.
    Vasnetsov, M. V. ; Ponevchinsky, V. V. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 22 (2019-06-01), Heft 3, S. 333-337
    Online academicJournal
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    Luminescent analysis of the quality of CdS nanocrystals depending on technological parameters.
    Bogoslovskaya, A. B. ; Grynko, D. O. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 22 (2019-04-01), Heft 2, S. 231-236
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    Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence.
    Vlaskina, S. I. ; Mishinova, G. N. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 20 (2017-07-01), Heft 3, S. 344-348
    Online academicJournal
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    Influence of ytterbium impurity on luminescent properties of ZnSe〈Al〉 crystals.
    Makhniy, V. P. ; Vakhnyak, N. D. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 19 (2016-10-01), Heft 4, S. 391-394
    Online academicJournal
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    Comparison of the synthesis routes for the ZnO/porous silica nanocomposite.
    Rudko, G. Yu. ; Kovalenko, S. A. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 19 (2016-10-01), Heft 4, S. 352-357
    Online academicJournal
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    Luminescent converter of solar light into electrical energy. Review.
    Kulish, M. R. ; Kostylyov, V. P. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 19 (2016-07-01), Heft 3, S. 229-247
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    Acoustic-stimulated relaxation of GaAs<subscript>1-x</subscript>P<subscript>x</subscript> LEDs electroluminescence intensity.
    Konoreva, O. V. ; Lytovchenko, M. V. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 19 (2016), Heft 1, S. 34-38
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    External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals.
    Vlaskina, S. I. ; Mishinova, G. N. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 18 (2015-12-01), Heft 4, S. 448-451
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    Effect of heating rate on oxidation process of fine-dispersed ZnS:Mn obtained by SHS.
    Bacherikov, Yu. Yu. ; Zhuk, A. G. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 18 (2015-07-01), Heft 2, S. 226-229
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    Luminescence of crystals ZnSe 〈Al〉:Gd.
    Makhniy, V. P. ; Vakhnyak, N. D. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 21 (2018), Heft 1, S. 80-82
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    Zinc oxide nanoparticles fabricated in the porous silica matrix by the sublimation method.
    Rudko, G. Yu. ; Kovalenko, S. A. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 18 (2015), Heft 1, S. 20-25
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    Luminescent properties of fine-dispersed ZnS:Cu prepared using self-propagating high-temperature synthesis.
    Bacherikov, Yu. Yu. ; Zelensky, S. E. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 17 (2014-10-01), Heft 4, S. 374-379
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    Intensities of quantum transitions in hexagonal nanotubes within the exciton spectral range.
    Makhanets, O. M. ; Tsiupak, N. R. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 15 (2012-04-01), Heft 2, S. 156-161
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    Optical absorption edge and luminescence in phosphorous-implanted Cu<subscript>6</subscript>PS<subscript>5</subscript>X (X = I, Br) single crystals.
    Studenyak, I. P. ; Izai, V. Yu. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 14 (2011-07-01), Heft 3, S. 287-293
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    Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals.
    Milenin, V. V. ; Red'ko, R. A.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 13 (2010-10-01), Heft 4, S. 379-383
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    Investigation of the direct/indirect exciton transition in the double quantum well system based on Cd<subscript>1-y</subscript>Mg<subscript>y</subscript>Te/ Cd<subscript>1-x</subscript>Mn<subscript>x</subscript>Te in applied magnetic field.
    Lev, S. B. ; Sugakov, V. I. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 10 (2007-04-01), Heft 2, S. 11-15
    Online academicJournal
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