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    Elastic waves induced by pulsed laser radiation in a semiconductor : effect of the long-range action
    SAVKINA, R. K ; SIZOV, F. F ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 2, S. 152-156
    academicJournal
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    Physics of the formation of microdefects in dislocation-free monocrystals of float-zone silicon
    TALANIN, V. I ; TALANIN, I. E ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 17 (2002), Heft 2, S. 104-113
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modification of the Si amorphization process by in situ ultrasonic treatment during ion implantation
    ROMANYUK, B ; MELNIK, V ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 16 (2001), Heft 5, S. 397-401
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thickness dependence of disorder in pseudomorphic modulation-doped AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs heterostructures
    KUNETS, Vas P ; KISSEL, H ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 15 (2000), Heft 11, S. 1035-1038
    academicJournal
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    A new channel of phonon emission induced by metastable centres of highly planar-doped GaAs :Si
    DANILCHENKO, B ; KLIMASHOV, A ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 15 (2000), Heft 7, S. 744-747
    academicJournal
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    Far-infrared reflectivity study of lattice dynamics of narrow-gap HgCdMnTe semiconductors
    TARASOV, G. G ; MAZUR, Yu. I ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 14 (1999), Heft 2, S. 187-197
    academicJournal
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    Role of laser-induced stress and shock waves in modification of the photoconductivity of CdxHg1-xTe films
    GNATYUK, V. A ; VLASENKO, A. I ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 13 (1998), Heft 11, S. 1298-1303
    academicJournal
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    Surface―barrier heterojunctions TiO2/CdZnTe
    BRUS, V. V ; ILASHCHUK, M. I ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 28 (2013), Heft 1
    academicJournal
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    Surface reconstruction and optical absorption changes for Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(1 0 0) surfaces
    LYSENKO, V. S ; KONDRATENKO, S. V ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 28 (2013), Heft 8
    academicJournal
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    Simultaneous changes in the photoluminescence, infrared absorption and morphology of porous silicon during etching by HF
    GORBACH, T. YA ; RUDKO, G. YU ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 11 (1996), Heft 4, S. 601-606
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Short-time annealing of as-grown p-CdTe wafers
    SOCHINSKII, N. V ; SERRANO, M. D ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 9 (1994), Heft 9, S. 1713-1718
    academicJournal
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    Vibrational modes activated by structural disorder in FIR transmission of Hg1-x-yCdxMnyTe
    MAZUR, YU. I ; KRIVEN, S. I ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 8 (1993), Heft 7, S. 1187-1190
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A model of quasi-equilibrium mass transfer of cadmium telluride sublimated in closed volume
    IL'CHUK, G. A
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 15 (2000), Heft 12, S. 1141-1143
    academicJournal
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    Relaxation of amorphous structure of implanted Si under RF plasma treatment: Raman and EPR study
    ARTAMONOV, V. V ; LYSENKO, V. S ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 6 (1991), Heft 1, S. 1-4
    academicJournal
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    Ion-milling-assisted study of defect structure of acceptor-doped HgCdTe heterostructures grown by molecular beam epitaxy
    POCIASK, M ; IZHNIN, I. I ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 23 (2008), Heft 9
    academicJournal
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    Laser-induced thermodiffusion of semiconductor inhomogeneities in the spectral transparency region
    GRIGOR'EV, N. N ; KUDYKINA, T. A ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 3 (1988), Heft 9, S. 951-956
    academicJournal
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