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    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    WEI, KE ; XU, HAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 5, S. 577-583
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    A continuous analytic I-V model for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    JIN, HE ; MANSUN, CHAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 3, S. 261-266
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    Ke, W. ; Han, X. ; et al.
    In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 22 (2007), Heft 5, S. 577-583
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A continuous analytic I-V model for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    He, J. ; Chan, M. ; et al.
    In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 21 (2006), Heft 3, S. 261-266
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Significant k-point selection scheme for computationally efficient band structure based UTB device simulations
    Nalin Vilochan Mishra ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 36 (2021-10-08), S. 115009-115009
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Study of potential high-k dielectric for UTB SOI MOSFETs using analytical modeling of the gate tunneling leakage
    DARBANDY, Ghader ; LIME, François ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 26 (2011), Heft 11
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A comparative study on analog/RF performance of UTB GOI and SOI devices
    JING, ZHUGE ; XIA, AN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 23 (2008), Heft 7
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    Li, Dingyu ; Zhang, Shengdong ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2007-04-23), S. 577-583
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A continuous analyticI–Vmodel for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    Chan, Mansun ; Zhang, Ganggang ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 21 (2006-01-20), S. 261-266
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    Nachschlagewerk
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Study of potential high-kdielectric for UTB SOI MOSFETs using analytical modeling of the gate tunneling leakage
    Cerdeira, Antonio ; Darbandy, Ghader ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 26 (2011-10-03), S. 115002-115002
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A comparative study on analog/RF performance of UTB GOI and SOI devices
    Wang, Runsheng ; Huang, Ru ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 23 (2008-05-08), S. 075009-75009
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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