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    국가 간 UTB 공시 사례 비교를 통한 K-IFRS 2123호 도입 효과와 개선방안
    송재익 (Jae Ick Song) ; 김갑순 (Kap-Soon Kim) ; et al.
    In: 한국경영학회 융합학술대회, Jg. 2021 (2021-08-31), Heft 8, S. 1612-1631
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    몬테카를로 시뮬레이션 방법을 이용한 5nm 이하 UTB SOI n-MOSFET의 반전채널층 내에서 전자전송특성 연구 / Analysis of Electron Transport Characteristics using Monte Carlo Method in Ultra-thin-body Silicon-on-Insulator n-MOSFETs with SOI Thickness less than 5nm
    이용선 / Lee, Yong-seon
    2007
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    UTB를 이용한 GaPxSb1-x와 경계면에서 에너지띠 구조 연구
    A study on the energy band structure of GaPxSb1-x and the boundary by using UTB
    2009
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Ultrathin-Body (UTB) Strained-Si-on-Insulator (sSOI) MOSFET에서 채널두께에 따른 전자이동도 변화
    김관수 ; 최철종 ; et al.
    In: 한국진공학회 학술발표회초록집, Jg. 2008 (2008-02-29), Heft 2, S. 107-107
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Simulation of III-V UTB SB-MOSFETs using tight-binding band-structure calculations
    최호원 ; 이재현 ; et al.
    2014
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record in BASE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    GaxIn1-xSbyAs1-y의 전자적 구조 : UTB 방법에 의한 밴드정렬상태
    심규리 (Kyurhee Shim)
    In: Applied Science and Convergence Technology, Jg. 20 (2011-11-30), Heft 6, S. 461-466
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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