Zum Hauptinhalt springen
Landesbibliothekszentrum Rheinland-Pfalz
LBZ-Katalog PLUS

Suchergebnisse

LBZ-Katalog

Aufsätze und mehr
11 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze und mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Thema

Inhaltsanbieter

11 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    The Modulation Effect of LPCVD-Si x N y Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), S. 4828-4834
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Xie, Min ; Zhao, Yi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), S. 895-900
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Maeda, Tatsuro ; Kurashima, Yuichi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), S. 4615-4621
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Sachid, Angada B. ; Khandelwal, Sourabh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), S. 3986-3990
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    Fan, Ming-Long ; Chou, Shao-Heng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), S. 1485-1489
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Kilchytska, Valeriya ; Andrieu, Francois ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), S. 247-251
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Simulation of 'Ab Initio' Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    Roy, Scott ; Asenov, Asen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), S. 600-608
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    Pei, Yunpeng ; Xiao, Han ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), S. 1203-1210
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Fossum, Jerry G. ; Trivedi, Vishal P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-05-01), S. 1125-1131
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Modeling Study of the Impact of Surface Roughness on Silicon and Germanium UTB MOSFETs
    Kwong, Dim-Lee ; Zhu, Chunxiang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-11-01), S. 2430-2439
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOI MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET
    Wang, Yangyuan ; Zhang, Xing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), S. 561-568
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?

Weitere Kataloge

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -