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    High-temperature behavior of fully-depleted soi mosfets in case of charge instability of buried oxide
    NAZAROV, A. N ; HOUK, Y ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XII (Quebec PQ, 15-20 May 2005), 2005, S. 113-118
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Radiation-induced deep levels in lead and tin doped N-type Czochralski silicon
    DAVID, M.-L ; SIMOEN, E ; et al.
    In: High purity silicon VIII (Honolulu HI, 3-8 October 2004), 2004, S. 395-406
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Oxygen precipitation and thermal donor formation in Pb- and C-doped N-type Czochralski silicon
    NEIMASH, M. V ; KRAS'KO, M ; et al.
    In: High purity silicon VIII (Honolulu HI, 3-8 October 2004), 2004, S. 286-293
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nature of high-temperature charge instability in fully depleted SOI MOSFETs
    NAZAROV, A. N ; LYSENKO, V. S ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 455-460
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Evidence for a linear kink effect in ultra-thin gate oxide SOI MOSFETs
    MERCHA, A ; RAFI, J. M ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 319-324
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Charge trapping in high-dose Ge-implanted and Si-implanted silicon-dioxide thin films
    NAZAROV, A. N ; OSIYUK, I. N ; et al.
    In: Silicon nitride and silicon dioxide thin insulating films VII (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 144-149
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Carbon enhancement of SiO2 nucleation in buried oxide synthesis. Computer simulations and secondary ion mass spectroscopy depth profiling
    EFREMOV, A. A ; LITOVCHENKO, V. G ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 148 (2001), Heft 5, S. F92- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Processes in ultrathin buried oxide synthesis stimulated by low dose ion implantation
    LITOVCHENKO, V. G ; EFREMOV, A. A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 145 (1998), Heft 8, S. 2964-2969
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Thin film energy-controlled variable color cathodoluminescent screens
    BONDAR, V. D ; GRYTSIV, M. YA ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 144 (1997), Heft 2, S. 704-707
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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