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    Tin doping of silicon for controlling oxygen precipitation and radiation hardness
    CLACYS, C ; SIMOEN, E ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 148 (2001), Heft 12, S. G738- (8S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Carbon enhancement of SiO2 nucleation in buried oxide synthesis. Computer simulations and secondary ion mass spectroscopy depth profiling
    EFREMOV, A. A ; LITOVCHENKO, V. G ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 148 (2001), Heft 5, S. F92- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Influence of Tin impurities on the generation and annealing of thermal oxygen donors in Czochralski silicon at 450°C
    NEIMASH, V. B ; KRAITCHINSKII, A ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000), Heft 7, S. 2727-2733
    academicJournal
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