Zum Hauptinhalt springen
Landesbibliothekszentrum Rheinland-Pfalz
LBZ-Katalog PLUS

Suchergebnisse

LBZ-Katalog

Aufsätze und mehr
28 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Aufsätze und mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Art der Quelle

Thema

Publikation

Sprache

Inhaltsanbieter

28 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Development of the Internet-Delivered Cognitive Behaviour Therapy Undesirable Therapist Behaviours Scale (ICBT-UTBS)
    Hadjistavropoulos, Heather D. ; Gullickson, Kirsten M. ; et al.
    In: Internet Interventions, Jg. 18 (2019-12-01), Heft -
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in DOAJ (Volltext)
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    High frequency performance of sub-100nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack : Ultimate integration on silicon
    Lim, T. C. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 433-437
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs : EUROSOI
    Moldovan, O. ; Chaves, F. A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 12, S. 1867-1871
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study : Ultimate Integration of Silicon; Papers selected from the 2006 ULIS conference
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 51 (2007), Heft 4, S. 611-616
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants : European solid-state device research conference; Papers selected from the 35th European solid-state device research conference: ESSDERC '05
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 50 (2006), Heft NO 4, S. 660-667
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation : Ultimate Integration of Silicon; ULIS conference
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS : Ultimate integration of silicon
    Schulz, T. ; Pacha, C. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 48 (2004), Heft NO 4, S. 521-527
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    KARSENTY, A ; CHELLY, A
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    KUMAR, Ajit ; PRAMOD KUMAR, TIWARI
    In: Solid-state electronics, Jg. 95 (2014), S. 52-60
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    SCHWARZ, Mike ; KLOES, Alexander
    In: Solid-state electronics, Jg. 99 (2014), S. 65-77
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    LIME, F ; RITZENTHALER, R ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 57 (2011), Heft 1, S. 61-66
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k - p schrödinger equation
    BAUMGARTNER, Oskar ; KARNER, Markus ; et al.
    In: Selected Full-Length Extended Papers from the EUROSOI 2009 Conference, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 143-148
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    WINDBACHER, Thomas ; SVERDLOV, Viktor ; et al.
    In: Selected Full-Length Extended Papers from the EUROSOI 2009 Conference, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 137-142
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 5, S. 545-551
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack
    TAO CHUAN, LIM ; ROZEAU, Olivier ; et al.
    In: Special Issue with Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference, Ulis 2008, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 433-437
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 53 (2009), Heft 5, S. 540-547
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Investigation of the UTB-InAs-MOSFETs structure
    Ammi, Sofiane ; Aissat, Abdelkader ; et al.
    In: ISSN: 1369-8001 ; Materials Science in Semiconductor Processing ; https://hal.science/hal-03140498 ; Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 96, pp.41-45. ⟨10.1016/j.mssp.2019.02.025⟩, 2019
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in BASE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Development of the Internet-Delivered Cognitive Behaviour Therapy Undesirable Therapist Behaviours Scale (ICBT-UTBS)
    Schneider, Luke H. ; Dear, Blake F. ; et al.
    In: Internet Interventions, Jg. 18 (2019-06-01)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    View record from ScienceDirect (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Development of the Internet-Delivered Cognitive Behaviour Therapy Undesirable Therapist Behaviours Scale (ICBT-UTBS)
    Hadjistavropoulos, Heather D. ; Gullickson, Kirsten M. ; et al.
    2019
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in BASE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-01653010 ; Solid-State Electronics, 2011, 57 (1), pp.61 - 66. ⟨10.1016/j.sse.2010.11.034⟩, 2011
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in BASE (Volltext)
    Wie komme ich dran?

Weitere Kataloge

xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -