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    Investigation of the UTB-InAs-MOSFETs structure
    Bollaert, Sylvain ; Wichmann, Nicolas ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 96 (2019-06-01), S. 41-45
    Online unknown
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    Investigation of the UTB-InAs-MOSFETs structure
    Ammi, Sofiane ; Aissat, Abdelkader ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing ; volume 96, page 41-45 ; ISSN 1369-8001, 2019
    Online academicJournal
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    Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model
    Pandit, Soumya ; Subir Kumar Maity
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 101 (2017), S. 362-372
    Online unknown
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    Zero temperature-coefficient bias point over wide range of temperatures for single- and double-gate UTB-SOI n-MOSFETs with trapped charges
    Prasanna Kumar Sahu ; Sushanta Kumar Mohapatra ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 31 (2015-03-01), S. 175-183
    Online unknown
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    Binary alloy enabled gate work function engineering of nanoscale UTB-GeOI MOSFETs for mixed-signal system-on-chip applications
    Biswas, Abhijit ; Mondal, Chandrima
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 75 (2014-11-01), S. 118-126
    Online unknown
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Pramod Kumar Tiwari ; Kumar, Ajit
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    Chelly, Avraham ; Karsenty, Avi
    In: Solid-State Electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Suligoj, Tomislav ; Jovanovic, Vladimir ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-05-01), S. 545-551
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k·p schrödinger equation
    Karner, Markus ; Kosina, Hans ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-02-01), S. 143-148
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Jovanovic, Vladimir ; Sviličić, Boris ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-05-01), S. 540-547
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-12-01), S. 1867-1871
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    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Roy, Scott ; Samsudin, Khairulmizam ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-04-01), S. 660-667
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    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    Samsudin, Khairulmizam ; Asenov, Asen ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006), S. 86-93
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    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Wang, Yangyuan ; Zhang, Xing ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 49 (2005-03-01), S. 479-483
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    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS
    Pacha, Christian ; Landgraf, Erhard ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-04-01), S. 521-527
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    Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model
    Maity, Subir Kumar ; Pandit, Soumya
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 101, page 362-372 ; ISSN 0749-6036, 2017
    Online academicJournal
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    Zero temperature-coefficient bias point over wide range of temperatures for single- and double-gate UTB-SOI n-MOSFETs with trapped charges
    Sahu, P.K. ; Mohapatra, S.K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing ; volume 31, page 175-183 ; ISSN 1369-8001, 2015
    Online academicJournal
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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    Schwarz, Mike ; Kloes, Alexander ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 99, page 65-77 ; ISSN 0038-1101, 2014
    Online academicJournal
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    Karsenty, A. ; Chelly, A.
    In: Solid-State Electronics ; volume 91, page 28-35 ; ISSN 0038-1101, 2014
    Online academicJournal
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid-State Electronics ; volume 95, page 52-60 ; ISSN 0038-1101, 2014
    Online academicJournal
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