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    Investigation of the UTB-InAs-MOSFETs structure
    Bollaert, Sylvain ; Wichmann, Nicolas ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 96 (2019-06-01), S. 41-45
    Online unknown
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    Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model
    Pandit, Soumya ; Subir Kumar Maity
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 101 (2017), S. 362-372
    Online unknown
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    Zero temperature-coefficient bias point over wide range of temperatures for single- and double-gate UTB-SOI n-MOSFETs with trapped charges
    Prasanna Kumar Sahu ; Sushanta Kumar Mohapatra ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 31 (2015-03-01), S. 175-183
    Online unknown
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    Binary alloy enabled gate work function engineering of nanoscale UTB-GeOI MOSFETs for mixed-signal system-on-chip applications
    Biswas, Abhijit ; Mondal, Chandrima
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 75 (2014-11-01), S. 118-126
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Pramod Kumar Tiwari ; Kumar, Ajit
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    Chelly, Avraham ; Karsenty, Avi
    In: Solid-State Electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
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    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Wang, Yangyuan ; Zhang, Xing ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 49 (2005-03-01), S. 479-483
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    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS
    Pacha, Christian ; Landgraf, Erhard ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-04-01), S. 521-527
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