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    Sub-25 nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    SAMSUDIN, K ; CHENG, B ; et al.
    In: Papers selected from the 35th European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC'05, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 660-667
    Online Konferenz
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    Wie komme ich dran?
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    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15 nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    SAMSUDIN, K ; CHENG, B ; et al.
    In: 2005 ULIS Conference. Selected papers, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online Konferenz
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    XIA, AN ; RU, HUANG ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 3, S. 479-483
    Online academicJournal
    Zugriff:
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