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69 Treffer

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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations.
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 8-13
    academicJournal
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    The Modulation Effect of LPCVD-Si x N y Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure.
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 4828-4834
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current.
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique.
    Zheng, Zejie ; Yu, Xiao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs.
    Wen Hsin Chang ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615-4621
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs.
    Lin, Yen-Kai ; Kushwaha, Pragya ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    UTB GeOI 6T SRAM cell and sense amplifier considering BTI reliability.
    Hu, Vita Pi-Ho ; Su, Pin ; et al.
    In: 2015 IEEE 22nd International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits, 2015, S. 111-114
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An adaptive grid algorithm for self-consistent k·p Schrodinger and Poisson equations in UTB InSb-based pMOSFETs.
    Chang, Pengying ; Liu, Xiaoyan ; et al.
    In: 2014 International Workshop on Computational Electronics (IWCE), 2014, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Static performance analysis on UTB-SG and DG MOSFETs with Si and III–V channel materials.
    Singh, D. ; Panda, S. ; et al.
    In: 2014 International Conference on High Performance Computing & Applications (ICHPCA), 2014, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Nanowire and planar UTB SOI Schottky Barrier MOSFETs with dopant segregation.
    Knoll, L. ; Schafer, A. ; et al.
    In: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012, S. 45-48
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Two-dimensional physics-based modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs.
    Schwarz, Mike ; Holtij, Thomas ; et al.
    In: Proceedings of the 19th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits & Systems - MIXDES 2012, 2012, S. 88-93
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Supplier selection service-case study UTB.
    Mendoza, Giovanny Vasques ; Cruz, Yuliana Puerta
    In: 2012 7th Colombian Computing Congress (CCC), 2012, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High-temperature perspectives of UTB SOI MOSFETs.
    Kilchytska, V. ; Andrieu, F. ; et al.
    In: 2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2011, S. 1-4
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A simple analytical and explicit compact model for the drain current of UTB SOI MOSFETs.
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: 2011 Spanish Conference on Electron Devices (CDE), 2011, S. 1-4
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Variability analysis of UTB SOI subthreshold SRAM considering Line-Edge Roughness, Work Function Variation and temperature sensitivity.
    Hu, V.P. H. ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: 2011 IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT), 2011, S. 1-4
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    RDF effect induced by source/drain doping in nano-scale UTB SOI MOSFET with nominally un-doped channel.
    Du, Linfeng ; Zhang, Shengdong
    In: 2010 IEEE International Conference of Electron Devices & Solid-State Circuits (EDSSC), 2010, S. 1-4
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Numerical Quadrature of the Subband Distribution Functions in Strained Silicon UTB Devices.
    Baumgartner, O. ; Karner, M. ; et al.
    In: 2009 13th International Workshop on Computational Electronics, 2009, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    High performance Schottky barrier MOSFETs on UTB SOI.
    Urban, C. ; Sandow, C. ; et al.
    In: 2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2009, S. 65-68
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Mobility extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness.
    Schmidt, M. ; Lemme, M.C. ; et al.
    In: 2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2009, S. 27-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    HF characterisation of sub-100nm UTB-FDSOI with TiN/HfO2 gate stack.
    Lim, T.C. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: 2008 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, 2008, S. 145-148
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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