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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 22 (2022), S. 8-13
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 22 (2022), S. 8-13
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE transactions on nanotechnology, Jg. 22 (2022), S. 8-13
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
    Islam, Muhammad Mainul ; Kutubul Alam, Md Nur ; et al.
    In: IEEE journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017), Heft 5, S. 335-339
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
    Islam, M. M. ; Alam, M. N. ; et al.
    In: IEEE JOURNAL- ELECTRON DEVICES SOCIETY, Jg. 5 (2017), Heft 5, S. 335-339
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    BSIM—SPICE Models Enable FinFET and UTB IC Designs
    Paydavosi, Navid ; Venugopalan, Sriramkumar ; et al.
    In: IEEE access, Jg. 1 (2013), S. 201-215
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    Hu, V. P. ; Fan, M. L. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, Jg. 12 (2013), Heft 4, S. 524-531
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Atomistic Approach to Thickness-Dependent Bandstructure Calculation of InSb UTB
    Guan, X. ; Yu, Z.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 101-105
    serialPeriodical
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