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    The Modulation Effect of LPCVD-Si<subscript> x </subscript>N<subscript> y </subscript> Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 69 (2022), Heft 9, S. 4828-4834
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    The Modulation Effect of LPCVD-Si<subscript> x </subscript>N<subscript> y </subscript> Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, Liyang ; Zhou, Qi ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 69 (2022), Heft 9, S. 4828-4834
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, Matthias L. ; Hueting, Raymond J. E. ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 68 (2021), Heft 2, S. 497-502
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zheng, Z. ; Yu, X. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 65 (2018), Heft 3, S. 895-900
    serialPeriodical
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Lin, Y. ; Kushwaha, P. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 64 (2017), Heft 10, S. 3986-3990
    serialPeriodical
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    Chou, S. H. ; Fan, M. L. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 60 (2013), Heft 4, S. 1485-1489
    serialPeriodical
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    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    Gnani, E. ; Gnudi, A. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 59 (2012), Heft 4, S. 941-948
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Arshad, M. K. ; Raskin, J. P. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Simulation of 'Ab Initio' Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    Riddet, C. ; Alexander, C. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 58 (2011), Heft 3, S. 600-608
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Chowdhury, Murshed M. ; Trivedi, Vishal P. ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 54 (2008), Heft 5, S. 1125-1131
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    Pei, Yunpeng ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE transactions on electron devices, Jg. 55 (2008), Heft 5, S. 1203-1210
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    Pei, Y. ; Huang, R. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 55 (2008), Heft 5, S. 1203-1210
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Chowdhury, M. M. ; Trivedi, V. P. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 54 (2007), Heft 5, S. 1125-1131
    serialPeriodical
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Optimal UTB FD/SOI Device Structure Using Thin BOX for Sub-50-nm SRAM Design
    Mukhopadhyay, S. ; Kim, K. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 27 (2006), Heft 4, S. 284-287
    serialPeriodical
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Modeling Study of the Impact of Surface Roughness on Silicon and Germanium UTB MOSFETs
    Low, T. ; Li, M. F. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 52 (2005), Heft 11, S. 2430-2439
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOI MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET
    Tian, Y. ; Huang, R. ; et al.
    In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Jg. 52 (2005), Heft 4, S. 561-568
    serialPeriodical
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation
    Gudmundsson, V. ; Hellstrom, P. E. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 30 (2009), Heft 5, S. 541-543
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation
    Zhang, Zhen ; Qiu, Zhijun ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation
    Zhang, Zhen ; Qiu, Zhijun ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation
    Zhang, Z. ; Qiu, Z. ; et al.
    In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    serialPeriodical
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