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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    CHOU, Shao-Heng ; FAN, Ming-Long ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 4, S. 1485-1489
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    KHAIRUDDIN, Mohd ; RASKIN, Jean-Pierre ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Simulation of Ab Initio Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    RIDDET, Craig ; ALEXANDER, Craig ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 3, S. 600-608
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Carrier mobility/transport in undoped-UTB DG FinFETs
    CHOWDHURY, Murshed M ; TRIVEDI, Vishal P ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 5, S. 1125-1131
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and germanium UTB MOSFETs
    LOW, Tony ; LI, Ming-Fu ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 11, S. 2430-2439
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A novel nanoscaled device concept: Quasi-SOI MOSFET to eliminate the potential weaknesses of UTB SOI MOSFET
    YU, TIAN ; RU, HUANG ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 4, S. 561-568
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation
    GUDMUNDSSON, Valur ; HELLSTRÖM, Per-Erik ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 30 (2009), Heft 5, S. 541-543
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation
    ZHEN, ZHANG ; ZHIJUN, QIU ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 29 (2008), Heft 1, S. 125-127
    academicJournal
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    Hole transport in UTB MOSFETs in strained-Si directly on insulator with strained-Si thickness less than 5 nm
    ABERG, Ingvar ; HOYT, Judy L
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 9, S. 661-663
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Experimental study on superior mobility in (110)-oriented UTB SOI pMOSFETs
    TSUTSUI, Gen ; SAITOH, Masumi ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 11, S. 836-838
    academicJournal
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