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    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    WEI, KE ; XU, HAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 5, S. 577-583
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A continuous analytic I-V model for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    JIN, HE ; MANSUN, CHAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 3, S. 261-266
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Study of potential high-k dielectric for UTB SOI MOSFETs using analytical modeling of the gate tunneling leakage
    DARBANDY, Ghader ; LIME, François ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 26 (2011), Heft 11
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A comparative study on analog/RF performance of UTB GOI and SOI devices
    JING, ZHUGE ; XIA, AN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 23 (2008), Heft 7
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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