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    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    Ke, W. ; Han, X. ; et al.
    In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 22 (2007), Heft 5, S. 577-583
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    A continuous analytic I-V model for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    He, J. ; Chan, M. ; et al.
    In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 21 (2006), Heft 3, S. 261-266
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Study of potential high-k dielectric for UTB SOI MOSFETs using analytical modeling of the gate tunneling leakage
    Darbandy, G. ; Lime, F. ; et al.
    In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 26 (2011), Heft 11, S. 115002-115002
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    A comparative study on analog/RF performance of UTB GOI and SOI devices
    Zhuge, J. ; An, X. ; et al.
    In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 23 (2008), Heft 7, S. 075009-75009
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?

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