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    Switching Time Analysis of Negative Capacitance UTB GeOI MOSFETs
    Chiu, P.-C. ; Hu, V.P.-H.
    In: Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2017-09-21
    Online unknown
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    Reliability Analysis for Monolithic 3D UTB GeOI and SOI 6T SRAM Cells considering Interlayer Coupling
    Hu, V.P.-H.
    In: Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2016-09-28
    Online unknown
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    Investigation of Backgating Effect on Superlinear Onset of Output Characteristics for UTB III-V Heterojunction Tunnel FET
    Su, P. ; Fan, M.L. ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2015-09-29
    Online unknown
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    Suppression of short channel effects in accumulation-type UTB-InGaAs-OI nMISFETs with raised S/D fabricated by gate-last process
    Osada, T. ; Takagi, Hideki ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2013
    Online unknown
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    Source/Drain Doping Induced Vth Variation in Nano-scale UTB SOI MOSFET
    Du, L. ; Zhang, Shengdong
    In: Extended Abstracts of the 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2010-09-23
    Online unknown
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    Mobility Increase in High-Ns Region in (110)-Oriented UTB pMOSFET Through Surface Roughness Improvement
    Hiramoto, Toshiro ; Januar, Doni ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2005
    Online unknown
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Ultra Thin Body Silicon-On-Insulator (UTB SOI) MOSFET with Metal Gate Work-function Engineering for sub-70 nm Technology Node
    Ha, Daewon ; Choi, Yang-Kyu ; et al.
    In: Extended Abstracts of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2002
    Online unknown
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