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    Correlation of Radiation-Induced Interface Traps With Band Edge Energy Through Band Structure-Based Analysis of Electrostatics of UTB SOI Devices
    Mishra, N.V. ; Medury, A.S.
    In: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Jg. 24 (2024-06-01), Heft 2, S. 225-232
    academicJournal
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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, N.V. ; Solanki, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 8-13
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The Modulation Effect of LPCVD-SixNy Stoichiometry on 2-DEG Characteristic of UTB AlGaN/GaN Heterostructure
    Zhu, L. ; Zhou, Q. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-09-01), Heft 9, S. 4828-4834
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, M.L. ; Hueting, R.J.E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    academicJournal
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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zheng, Z. ; Yu, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Lin, Y. ; Kushwaha, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    academicJournal
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Chang, W.H. ; Irisawa, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615
    academicJournal
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    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    Hu, V. P. H. ; Fan, M. L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 12 (2013-07-01), Heft 4, S. 524-531
    academicJournal
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    Chou, S. H. ; Fan, M. L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), Heft 4, S. 1485-1489
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    BSIM—SPICE Models Enable FinFET and UTB IC Designs
    Paydavosi, N. ; Venugopalan, S. ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 1 (2013), S. 201-215
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    Gnani, E. ; Gnudi, A. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-04-01), Heft 4, S. 941-948
    academicJournal
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Arshad, M. K. M. ; Raskin, J. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    academicJournal
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    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    Riddet, C. ; Alexander, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), Heft 3, S. 600-608
    academicJournal
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    An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
    Islam, M.M. ; Alam, M.N.K. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017-09-01), Heft 5, S. 335-335
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    Pei, Y. ; Huang, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), Heft 5, S. 1203-1210
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Chowdhury, M. M. ; Trivedi, V. P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-05-01), Heft 5, S. 1125-1131
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Atomistic Approach to Thickness-Dependent Bandstructure Calculation of InSb UTB
    Guan, X. ; Yu, Z.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 6 (2007), Heft 1, S. 101-105
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Optimal UTB FD/SOI device structure using thin BOX for sub-50-nm SRAM design
    Mukhopadhyay, S. ; Kim, Keunwoo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-04-01), Heft 4, S. 284-287
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and Germanium UTB MOSFETs
    Low, T. ; Li, Ming-Fu ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-11-01), Heft 11, S. 2430-2439
    academicJournal
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    A novel nanoscaled device concept: quasi-SOI MOSFET to eliminate the potential weaknesses of UTB SOI MOSFET
    Tian, Yu ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), Heft 4, S. 561-568
    academicJournal
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