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49 Treffer

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    Back-Gate Modulation in UTB GeOI pMOSFETs With Advanced Substrate Fabrication Technique
    Zheng, Z. ; Yu, X. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-03-01), Heft 3, S. 895-900
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Lin, Y. ; Kushwaha, P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), Heft 10, S. 3986-3990
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Chang, W.H. ; Irisawa, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Simulation of “Ab Initio” Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    Riddet, C. ; Alexander, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 58 (2011-03-01), Heft 3, S. 600-608
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    Pei, Y. ; Huang, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), Heft 5, S. 1203-1210
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A novel nanoscaled device concept: quasi-SOI MOSFET to eliminate the potential weaknesses of UTB SOI MOSFET
    Tian, Yu ; Huang, Ru ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), Heft 4, S. 561-568
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    (111)面チャネルの薄膜化によるInAs-OI nMOSFETのサブバンド制御手法の提案と極薄膜(111) InAs-OI基板の実現
    Proposal of subband engineering in InAs-OI nMOSFETs by channel thickness scaling of (111)-oriented channel and fabrication of UTB (111) InAs-OI substrates
    2021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in JSTAGE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Hole mobility enhancement in Ultra-smooth UTB-GeOI / UTB-GeOI 構造の超平坦化による正孔移動度向上
    Ishii, Hiroyuki ; Uchida, Noriyuki ; et al.
    2018
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in JSTAGE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    KARSENTY, A ; CHELLY, A
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    KUMAR, Ajit ; PRAMOD KUMAR, TIWARI
    In: Solid-state electronics, Jg. 95 (2014), S. 52-60
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    SCHWARZ, Mike ; KLOES, Alexander
    In: Solid-state electronics, Jg. 99 (2014), S. 65-77
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    CHOU, Shao-Heng ; FAN, Ming-Long ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 60 (2013), Heft 4, S. 1485-1489
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    KHAIRUDDIN, Mohd ; RASKIN, Jean-Pierre ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 247-251
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Enhancement of Mobility in UTB-GeOI p-MOSFETs Realized by Si-passivated Back Interface Control / Si-passivated バック界面を用いたUTB-GeOI p-MOSFETsの移動度向上
    Hattori, H. ; Ishii, H. ; et al.
    2017
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    LIME, F ; RITZENTHALER, R ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 57 (2011), Heft 1, S. 61-66
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    WINDBACHER, Thomas ; SVERDLOV, Viktor ; et al.
    In: Selected Full-Length Extended Papers from the EUROSOI 2009 Conference, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 137-142
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 5, S. 545-551
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 53 (2009), Heft 5, S. 540-547
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    WEI, KE ; XU, HAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 5, S. 577-583
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Carrier mobility/transport in undoped-UTB DG FinFETs
    CHOWDHURY, Murshed M ; TRIVEDI, Vishal P ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 54 (2007), Heft 5, S. 1125-1131
    academicJournal
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