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    Smart UTB: An IoT Platform for Smart Campus : Workshop on engineering applications
    Acuña, Leonardo Castellanos ; Narváez, Ray ; et al.
    In: Communications in computer and information science, Jg. 1431 (2021), S. 239-249
    Konferenz
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    (Invited) High Performance UTB GeOI n and pMOSFETs Featuring HEtero-Layer-Lift-Off (HELLO) Technology : High purity and high mobility semiconductors (Symposium)
    Chang, W. H. ; Irisawa, T. ; et al.
    In: ECS transactions, Jg. 86 (2018), Heft 10, S. 25-36
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    (Plenary) Physical Insights on the Design of UTB Devices, Including FinFETs : Advanced CMOS-compatible semiconductor devices (International symposium)
    Fossum, J. G.
    In: ECS transactions, Jg. 66 (2015), Heft 5, S. 3-12
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Multidisciplinary NanoScience Concentration Certificate Program at UTB: Activities and Lessons Learned : Communicating social relevancy in materials science and engineering education
    Martirosyan, K.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1532 (2013), S. 42-47
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    (Invited) FinFET and UTB--How to Make Very Short Channel MOSFETs : SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices
    Hu, C.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 50 (2012), Heft 9, S. 17-22
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Analysis and Modeling of High Performance and Low Power UTB SGOI Devices Scalable to Sub 30 nm : Circuits, systems and signals
    Bailey, K. ; Gurumurthy, K.S.
    In: INTERNATIONAL CONFERENCE ON CIRCUITS, SYSTEMS AND SIGNALS, 2010, S. 120-123
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electron Mobility Behavior of Ge-Free Ultrathin-Body (UTB) Strained-SOI (sSOI) MOSFETs : Special issue on the 15th Korean conference on semiconductors: selected
    Kim, K. S. ; Cho, W. J.
    In: JOURNAL- KOREAN PHYSICAL SOCIETY, Jg. 54 (2009), Heft 5, S. 1840-1843
    Online Konferenz
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    Characteristic Variations Induced by Random Fluctuation of Source/Drain Lateral Distribution Dopant in Nano-Scale UTB SOI MOSFET : International Semiconductor Technology Conference; ISTC/CSTIC 2009
    Du, L. ; Deng, H. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 18 (2009), Heft 1, S. 77-82
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High frequency performance of sub-100nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack : Ultimate integration on silicon
    Lim, T. C. ; Rozeau, O. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 433-437
    Online Konferenz
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs : EUROSOI
    Moldovan, O. ; Chaves, F. A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 12, S. 1867-1871
    Online Konferenz
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    Parameter modeling for higher-order transport models in UTB SOI MOSFETs : Computational electronics.IWCE12
    Vasicek, M. ; Cervenka, J. ; et al.
    In: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS, Jg. 7 (2008), Heft 3, S. 168-171
    Online Konferenz
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    Combined sources of intrinsic parameter fluctuations in sub-25nm generation UTB-SOI MOSFETs: A statistical simulation study : Ultimate Integration of Silicon; Papers selected from the 2006 ULIS conference
    Samsudin, K. ; Adamu-Lema, F. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 51 (2007), Heft 4, S. 611-616
    Online Konferenz
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    A Carrier-Based Analytic Model for Undoped (Lightly Doped) Ultra-Thin-Body Silicon-on-Insulator (UTB-SOI) MOSFETs : Quality electronic design; ISQED 2006
    He, J. ; Zhang, X. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE INTERMNATIONAL SYMPOSIUM ON QUALITY ELECTRONIC DESIGN, Jg. CONF 7 (2006), S. 127-132
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Low-Field Electron Mobility in Stressed UTB SOI MOSFETs for Different Substrate Orientations : SiGe and Ge materials, processing and devices
    Ungersboeck, E. ; Sverdlov, V. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 3 (2006), Heft 7, S. 45-54
    Konferenz
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    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants : European solid-state device research conference; Papers selected from the 35th European solid-state device research conference: ESSDERC '05
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 50 (2006), Heft NO 4, S. 660-667
    Online Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation : Ultimate Integration of Silicon; ULIS conference
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 86-93
    Online Konferenz
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    Source/Drain Resistance of UTB SOI MOSFET : Electron devices and solid-state circuits; EDSSC '05
    Ke, W. ; Zhang, S. ; et al.
    In: IEEE CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS, 2005, S. 405-408
    Konferenz
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    Impact of Gate Overlap on Electron Transport in UTB nMOSFET : International conference on semiconductor technology
    Xia, Z. ; Du, G. ; et al.
    2004
    Konferenz
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    Non-Stationary Transports In Sub-100nm UTB MOSFET By Using QBE Based Monte Carlo Method : International conference on semiconductor technology
    Du, G.
    2004
    Konferenz
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    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS : Ultimate integration of silicon
    Schulz, T. ; Pacha, C. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 48 (2004), Heft NO 4, S. 521-527
    Online Konferenz
    Zugriff:
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