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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    SCHWARZ, Mike ; KLOES, Alexander
    In: Solid-state electronics, Jg. 99 (2014), S. 65-77
    Online academicJournal
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    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    GNANI, Elena ; GNUDI, Antonio ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 4, S. 941-948
    academicJournal
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 5, S. 545-551
    Online academicJournal
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 53 (2009), Heft 5, S. 540-547
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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    A continuous analytic I-V model for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    JIN, HE ; MANSUN, CHAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 3, S. 261-266
    academicJournal
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    Study of potential high-k dielectric for UTB SOI MOSFETs using analytical modeling of the gate tunneling leakage
    DARBANDY, Ghader ; LIME, François ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 26 (2011), Heft 11
    academicJournal
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