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    Effects of sidewall spacer layers on thermal and low frequency noise performance of SOI UTB MOSFETs
    Bhattacherjee, Swagata ; Biswas, Abhijit
    In: Microsystem Technologies, Jg. 28 (2018-09-22), S. 653-658
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Sachid, Angada B. ; Khandelwal, Sourabh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), S. 3986-3990
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    An Analytical Model for the Gate C–V Characteristics of UTB III—V-on-Insulator MIS Structure
    Muhammad Mainul Islam ; Md. Shamim Sarker ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017-09-01), S. 335-339
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Pramod Kumar Tiwari ; Kumar, Ajit
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    Fan, Ming-Long ; Chou, Shao-Heng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), S. 1485-1489
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Kilchytska, Valeriya ; Andrieu, Francois ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), S. 247-251
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Suligoj, Tomislav ; Jovanovic, Vladimir ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-05-01), S. 545-551
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k·p schrödinger equation
    Karner, Markus ; Kosina, Hans ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-02-01), S. 143-148
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Jovanovic, Vladimir ; Sviličić, Boris ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-05-01), S. 540-547
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    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    Pei, Yunpeng ; Xiao, Han ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), S. 1203-1210
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Fossum, Jerry G. ; Trivedi, Vishal P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-05-01), S. 1125-1131
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    Li, Dingyu ; Zhang, Shengdong ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2007-04-23), S. 577-583
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Optimal UTB FD/SOI device structure using thin BOX for sub-50-nm SRAM design
    Wang, Xinlin ; Oldiges, P. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 27 (2006-04-01), S. 284-287
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    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Roy, Scott ; Samsudin, Khairulmizam ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-04-01), S. 660-667
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    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    Samsudin, Khairulmizam ; Asenov, Asen ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006), S. 86-93
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    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOI MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET
    Wang, Yangyuan ; Zhang, Xing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), S. 561-568
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    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Wang, Yangyuan ; Zhang, Xing ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 49 (2005-03-01), S. 479-483
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    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS
    Pacha, Christian ; Landgraf, Erhard ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-04-01), S. 521-527
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    Fully Depleted UTB and Trigate N-Channel MOSFETs Featuring Low-Temperature PtSi Schottky-Barrier Contacts With Dopant Segregation
    Hellström, Per-Erik ; Zhang, Shi-Li ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 30 (2009-05-01), S. 541-543
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    SB-MOSFETs in UTB-SOI Featuring PtSi Source/Drain With Dopant Segregation
    Hellström, Per-Erik ; Zhang, Zhen ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 29 (2008), S. 125-127
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