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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    KUMAR, Ajit ; PRAMOD KUMAR, TIWARI
    In: Solid-state electronics, Jg. 95 (2014), S. 52-60
    Online academicJournal
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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    SCHWARZ, Mike ; KLOES, Alexander
    In: Solid-state electronics, Jg. 99 (2014), S. 65-77
    Online academicJournal
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 5, S. 545-551
    Online academicJournal
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 53 (2009), Heft 5, S. 540-547
    Online academicJournal
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    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    WEI, KE ; XU, HAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 5, S. 577-583
    academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A continuous analytic I-V model for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    JIN, HE ; MANSUN, CHAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 3, S. 261-266
    academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    XIA, AN ; RU, HUANG ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 3, S. 479-483
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A novel nanoscaled device concept: Quasi-SOI MOSFET to eliminate the potential weaknesses of UTB SOI MOSFET
    YU, TIAN ; RU, HUANG ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 4, S. 561-568
    academicJournal
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