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    Two-dimensional physics-based modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs.
    Schwarz, Mike ; Holtij, Thomas ; et al.
    In: Proceedings of the 19th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits & Systems - MIXDES 2012, 2012, S. 88-93
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A rigorous carrier-based analytic model for undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs.
    He, J. ; Bian, W. ; et al.
    In: Molecular Simulation, Jg. 34 (2008), Heft 1, S. 63-72
    academicJournal
    Wie komme ich dran?

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