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    Laser-induced structure defects and their use for modification of properties of (Cd, Hg)Te epitaxial layers and CdTe crystals
    KOTLYARCHUK, Bohdan K ; ZAGINEY, Apollinariy O ; et al.
    In: VLSI circuits and systems (Maspalomas, 19-21 May 2003), 2003, S. 538-546
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The influence of growth condition and radiation on infrared exciton reflection spectrum of black zinc diphosphide
    KUDIN, A. P
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 475-478
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Strain analysis of epitaxial multivalley semiconductor films using the galvanomagnetic effects rotational dependence
    BERCHENKO, N. N ; YAKOVYNA, V. S ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 454-457
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Radiation-acoustic treatment of gallium phosphide light diodes
    TARTACHNYK, V. P ; GONTARUK, O. M ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 559-563
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Radiation properties of zinc diphosphide and their influence on the infrared absorption
    GROZA, A. A ; KORBUTIAK, D. V ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 548-554
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Pinning of the Fermi-level in A2B6 semiconductors
    BABENTSOV, V. N
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 357-362
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Optical properties of Hg1-xCdxTe/CdTe epitaxial films with graded band gap
    IVASIV, Z. F ; TETYORKIN, V. V ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 82-86
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Molecular-beam epitaxial growth of CdZnTe/ZnTe QW structures and superlattices on GaAs (100) substrates for optoelectronics
    VENGER, E. F ; SADOFEV, Yu. G ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 537-541
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of depth inhomogeneity of ZnTe, CdZnTe, ZnSe epilayers grown on (001)GaAs by MBE
    VENGER, E. F ; SADOFEV, Yu. G ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 170-176
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effect of laser irradiation on photoconductivity of GaAs crystals
    GNATYUK, V. A ; GORODNYCHENKO, O. S ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 464-468
    Konferenz
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    Dissolution of indium arsenide in the HNO3-HBr-H2O and Br2-HBr solutions
    TOMASHIK, Z. F ; DANYLENKO, S. G ; et al.
    In: Material science and material properties for infrared optoelectronics (Kiev, 29 September - 2 October 1998), 1999, S. 483-486
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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