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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Nalin Vilochan Mishra ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 8-13
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, Nalin Vilochan ; Solanki, Ravi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology ; volume 22, page 8-13 ; ISSN 1536-125X 1941-0085, 2023
    Online academicJournal
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    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    Chuang, Ching-Te ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 12 (2013-07-01), S. 524-531
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Atomistic Approach to Thickness-Dependent Bandstructure Calculation of InSb UTB
    Yu, Zhiping ; Guan, Ximeng
    In: IEEE Transactions On Nanotechnology, Jg. 6 (2007), S. 101-105
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    Hu, Vita Pi-Ho ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology ; volume 12, issue 4, page 524-531 ; ISSN 1536-125X 1941-0085, 2013
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Atomistic Approach to Thickness-Dependent Bandstructure Calculation of InSb UTB
    Guan, Ximeng ; Yu, Zhiping
    In: IEEE Transactions On Nanotechnology ; volume 6, issue 1, page 101-105 ; ISSN 1536-125X, 2007
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Volltext
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