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    Ion implantation after germanidation technique for low thermal budget Ge CMOS devices: From bulk Ge to UTB-GeOI substrate
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2017 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2017-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of the scalability of ultra thin body (UTB) double gate tunnel FET using physics based 2D analytical model
    Liu, Lu ; Datta, Suman
    In: 68th Device Research Conference, 2010-06-01, S. 15-16
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Comprehensive analysis of UTB GeOI logic circuits and 6T SRAM cells considering variability and temperature sensitivity
    Hu, Vita Pi-Ho ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: 2011 International Electron Devices Meeting, 2011-12-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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