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    Temperature Dependent Band Gap Correction Model Using Tight-Binding Approach for UTB Device Simulations
    Mishra, N.V. ; Solanki, R. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 22 (2023), S. 8-13
    academicJournal
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    Threshold voltage of UTB XOI FET
    Islam, Muhammad Mainul ; Sarker, Md. Shamim ; et al.
    In: 2017 4th International Conference on Advances in Electrical Engineering (ICAEE), 2017-09-01, S. 59-63
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Backside Si passivation: Leading to high performance UTB GeOI structures for monolithic 3D integrations
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2019-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Study of analog and RF performance of UTB-OI-Si substrate MOS transistor using buffered InGaAs and Silicon channel
    Maity, Subir Kumar ; Pandit, Soumya
    In: 2015 6th International Conference on Computers and Devices for Communication (CODEC), 2015, S. 1-4
    Konferenz
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    Static performance analysis on UTB-SG and DG MOSFETs with Si and III–V channel materials
    Singh, D. ; Panda, S. ; et al.
    In: 2014 International Conference on High Performance Computing and Applications (ICHPCA), 2014-12-01, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An adaptive grid algorithm for self-consistent k·p Schrodinger and Poisson equations in UTB InSb-based pMOSFETs
    Chang, Pengying ; Liu, Xiaoyan ; et al.
    In: 2014 International Workshop on Computational Electronics (IWCE), 2014-06-01, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    HEtero-layer-lift-off (HELLO) technology for enhanced hole mobility in UTB GeOI pMOSFETs
    Chang, Wen Hsin ; Irisawa, Toshifumi ; et al.
    In: 2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2018-04-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nanowire and planar UTB SOI Schottky Barrier MOSFETs with dopant segregation
    Knoll, L. ; Schafer, A. ; et al.
    In: 2012 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), 2012-03-01, S. 45-48
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigating the effect of non-stationary transports in UTB MOSFETs with elevated and recessed source/drain by using full band Monte Carlo simulation method
    Zhu, Mingda ; Chen, Si ; et al.
    In: 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2010-11-01, S. 960-962
    Konferenz
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Stability analysis for UTB GeOI 6T SRAM cells considering NBTI and PBTI
    Hu, Vita Pi-Ho ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: 2015 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications, 2015-04-01, S. 1-2
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Numerical Quadrature of the Subband Distribution Functions in Strained Silicon UTB Devices
    Baumgartner, Oskar ; Karner, Markus ; et al.
    In: 2009 13th International Workshop on Computational Electronics, 2009-05-01, S. 1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    5 nm gate length Nanowire-FETs and planar UTB-FETs with pure germanium source/drain stressors and laser-free Melt-Enhanced Dopant (MeltED) diffusion and activation technique
    Liow, Tsung-Yang ; Tan, Kian-Ming ; et al.
    In: 2008 Symposium on VLSI Technology, 2008-06-01, S. 36
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Ballistic hole injection velocity analysis in Ge UTB pMOSFETs: Dependence on body thickness, orientation and strain
    Mehrotra, Saumitra R ; Paul, Abhijeet ; et al.
    In: 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2011-12-01, S. 1-2
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Simulation of Si and Ge UTB MOSFETs using Monte Carlo method based on the quantum Boltzmann equation
    Du, Gang ; Liu, Xiaoyan ; et al.
    In: 2004 Abstracts 10th International Workshop on Computational Electronics, 2004, S. 186-187
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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