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    Investigation of the UTB-InAs-MOSFETs structure
    Bollaert, Sylvain ; Wichmann, Nicolas ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 96 (2019-06-01), S. 41-45
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    Effects of sidewall spacer layers on thermal and low frequency noise performance of SOI UTB MOSFETs
    Bhattacherjee, Swagata ; Biswas, Abhijit
    In: Microsystem Technologies, Jg. 28 (2018-09-22), S. 653-658
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    Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model
    Pandit, Soumya ; Subir Kumar Maity
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 101 (2017), S. 362-372
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    Binary alloy enabled gate work function engineering of nanoscale UTB-GeOI MOSFETs for mixed-signal system-on-chip applications
    Biswas, Abhijit ; Mondal, Chandrima
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 75 (2014-11-01), S. 118-126
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Pramod Kumar Tiwari ; Kumar, Ajit
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Suligoj, Tomislav ; Jovanovic, Vladimir ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-05-01), S. 545-551
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k·p schrödinger equation
    Karner, Markus ; Kosina, Hans ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-02-01), S. 143-148
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Jovanovic, Vladimir ; Sviličić, Boris ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-05-01), S. 540-547
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    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Fossum, Jerry G. ; Trivedi, Vishal P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-05-01), S. 1125-1131
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    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    Li, Dingyu ; Zhang, Shengdong ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2007-04-23), S. 577-583
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    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Roy, Scott ; Samsudin, Khairulmizam ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-04-01), S. 660-667
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    Integrating intrinsic parameter fluctuation description into BSIMSOI to forecast sub-15nm UTB SOI based 6T SRAM operation
    Samsudin, Khairulmizam ; Asenov, Asen ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006), S. 86-93
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    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Wang, Yangyuan ; Zhang, Xing ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 49 (2005-03-01), S. 479-483
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    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS
    Pacha, Christian ; Landgraf, Erhard ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-04-01), S. 521-527
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    Performance Enhancement of GaAs UTB pFETs by Strain, Orientation and Body Thickness Engineering
    Paul, Abhijeet ; Saumitra Raj Mehrotra ; et al.
    2011
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Martinez, Frédéric ; Ricoma, M. ; et al.
    2011
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    High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack
    Lepilliet, Sylvie ; Buj, Christel ; et al.
    2009
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    Study of potential high-kdielectric for UTB SOI MOSFETs using analytical modeling of the gate tunneling leakage
    Cerdeira, Antonio ; Darbandy, Ghader ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 26 (2011-10-03), S. 115002-115002
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    A comparative study on analog/RF performance of UTB GOI and SOI devices
    Wang, Runsheng ; Huang, Ru ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 23 (2008-05-08), S. 075009-75009
    Online unknown
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