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    Biintercalate formed on the basis of 2D semiconductor matrix, ferroelectric and ferromagnetic phases.
    Maksymych, Vitalii ; Calus, Dariusz ; et al.
    In: Molecular Crystals & Liquid Crystals, Jg. 748 (2022-12-01), Heft 1, S. 122-133
    academicJournal
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    Photoluminescence lifetime studies of PbI2 nanoclusters and microcrystallites in Pb0.30Cd0.70I2 alloys.
    Bukivskii, A.P. ; Gnatenko, Yu.P. ; et al.
    In: Journal of Physics & Chemistry of Solids, Jg. 120 (2018-09-01), S. 147-153
    Online academicJournal
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    First molecular conductors of BPDT-TTF with metallacarborane anions: (BPDT-TTF)[3,3′-Сr(1,2-C2B9H11)2] and (BPDT-TTF)[3,3′-Сo(1,2-C2B9H11)2] – Synthesis, structure, properties.
    Kazheva, Olga N. ; Chudak, Denis M. ; et al.
    In: Journal of Organometallic Chemistry, Jg. 867 (2018-07-15), S. 375-380
    Online academicJournal
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    Photoluminescence of high optical quality CdS:Dy thin films deposited by close-spaced vacuum sublimation.
    Yeromenko, Yu.S. ; Gnatenko, Yu.P. ; et al.
    In: Journal of Luminescence, Jg. 197 (2018-05-01), S. 343-348
    Online academicJournal
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    Electronic, thermodynamics and mechanical properties of LaB6 from first-principles.
    Ivashchenko, V.I. ; Turchi, P.E.A. ; et al.
    In: Physica B, Jg. 531 (2018-02-15), S. 216-222
    Online academicJournal
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    New quaternary thallium indium germanium selenide TlInGe2Se6: Crystal and electronic structure.
    Khyzhun, O.Y. ; Parasyuk, O.V. ; et al.
    In: Journal of Solid State Chemistry, Jg. 254 (2017-10-01), S. 103-108
    Online academicJournal
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    Preparation, Structure and Functional Properties of MoS and WS Nanocomposites with Inorganic Chalcogenide Semiconductors: a Review.
    Lampeka, Ya. ; Tsymbal, L.
    In: Theoretical & Experimental Chemistry, Jg. 53 (2017-09-01), Heft 4, S. 211-234
    Online academicJournal
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    Surface plasmon polariton amplification in semiconductor-graphene-dielectric structure.
    Dadoenkova, Yuliya S. ; Moiseev, Sergey G. ; et al.
    In: Annalen der Physik, Jg. 529 (2017-05-01), Heft 5, S. n/a- (7S.)
    Online academicJournal
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    Cu-Zn disorder in Cu2ZnGeSe4: A complementary neutron diffraction and Raman spectroscopy study.
    Gurieva, G. ; Többens, D.M. ; et al.
    In: Journal of Physics & Chemistry of Solids, Jg. 99 (2016-12-01), S. 100-104
    Online academicJournal
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    Crystal structure and vibrational properties of Cu<subscript>2</subscript>ZnSiSe<subscript>4</subscript> quaternary semiconductor.
    Litvinchuk, A. P. ; Dzhagan, V. M. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (B), Jg. 253 (2016-09-01), Heft 9, S. 1808-1815
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    On methods of determining the band gap of semiconductor structures with p-n junctions.
    Vikulin, I. ; Korobitsyn, B. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 50 (2016-09-01), Heft 9, S. 1216-1219
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Isothermal sections of the quasi-ternary systems Ag2S(Se)–Ga2S(Se)3–In2S(Se)3 at 820 K and the physical properties of the ternary phases Ga5.5In4.5S15, Ga6In4Se15 and Ga5.5In4.5S15:Er3+, Ga6In4Se15:Er3+.
    Ivashchenko, I.A. ; Danyliuk, I.V. ; et al.
    In: Journal of Solid State Chemistry, Jg. 237 (2016-05-01), S. 113-120
    Online academicJournal
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    Growth, structure and optical properties of Tl4HgBr6 single crystals.
    Khyzhun, O.Y. ; Kityk, I.V. ; et al.
    In: Physica B, Jg. 479 (2015-12-15), S. 134-142
    Online academicJournal
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    Spectral structure of the X-ray stimulated phosphorescence of monocrystalline ZnSe.
    Degoda, V. Ya. ; Pavlova, N. Yu. ; et al.
    In: Physica B, Jg. 465 (2015-05-15), S. 1-6
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Nanocomposite structures grown by inserting ionic salt RbNO3 into van der Waals gaps of III–VI compound layered semiconductors.
    Bakhtinov, A.P. ; Vodopyanov, V.M. ; et al.
    In: Solid State Ionics, Jg. 273 (2015-05-01), S. 59-65
    Online academicJournal
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    Features of the band structure and conduction mechanisms of n-HfNiSn semiconductor heavily Lu-doped.
    Romaka, V. ; Rogl, P. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 49 (2015-03-01), Heft 3, S. 290-297
    Online academicJournal
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    SYNTHESIS OF POROUS SILICON BY ION IMPLANTATION.
    Stepanov, A. L. ; Nuzhdin, V. I. ; et al.
    In: Reviews on Advanced Materials Science, Jg. 40 (2015-03-01), Heft 2, S. 155-164
    Online academicJournal
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    CuInS 2 -ZnIn 2 S 4 Solid Solutions: Growth, Physical and Photo-electrical Properties.
    Bozhko, V. V. ; Novosad, A. V. ; et al.
    In: Molecular Crystals & Liquid Crystals, Jg. 604 (2014-12-01), Heft 1, S. 164-173
    academicJournal
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    Solid-state solutions of copper indium disulfide and zinc indium tetrasulfide: Growth, crystallography and opto-electronic properties.
    Bozhko, V.V. ; Novosad, A.V. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 24 (2014-08-01), S. 231-236
    Online academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag<subscript>3</subscript>AsS<subscript>3</subscript>.
    Borovoy, N. ; Gololobov, Yu. ; et al.
    In: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Jg. 16 (2013-07-01), Heft 3, S. 293-296
    Online academicJournal
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