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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    KUMAR, Ajit ; PRAMOD KUMAR, TIWARI
    In: Solid-state electronics, Jg. 95 (2014), S. 52-60
    Online academicJournal
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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    SCHWARZ, Mike ; KLOES, Alexander
    In: Solid-state electronics, Jg. 99 (2014), S. 65-77
    Online academicJournal
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    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    GNANI, Elena ; GNUDI, Antonio ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 4, S. 941-948
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Simulation of Ab Initio Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    RIDDET, Craig ; ALEXANDER, Craig ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 3, S. 600-608
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k - p schrödinger equation
    BAUMGARTNER, Oskar ; KARNER, Markus ; et al.
    In: Selected Full-Length Extended Papers from the EUROSOI 2009 Conference, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 143-148
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 5, S. 545-551
    Online academicJournal
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    SVILICIC, B ; JOVANOVIC, V ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 53 (2009), Heft 5, S. 540-547
    Online academicJournal
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    A continuous analytic I-V model for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    JIN, HE ; MANSUN, CHAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 3, S. 261-266
    academicJournal
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