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    Comparison of Different Approaches used for Estimation of Electrostatics in UTB devices
    Mishra, Nalin Vilochan ; Kansal, Harshit ; et al.
    In: 2022 IEEE 22nd International Conference on Nanotechnology (NANO), 2022-07-04, S. 347-350
    Konferenz
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Chang, W.H. ; Irisawa, T. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), Heft 11, S. 4615
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Quantum corrected Ensemble Monte Carlo simulation of UTB-DGSOI. Contribution of Volume Inversion and Inter-Subband Modulation effects
    Sampedro, C. ; Gamiz, F. ; et al.
    In: 2006 IEEE international SOI Conferencee Proceedings, International SOI Conference, 2006-10-01, S. 79
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Experimental study on superior mobility in [110]-oriented UTB SOI pMOSFETs
    Tsutsui, G. ; Saitoh, M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-11-01), Heft 11, S. 836-838
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ballistic hole injection velocity analysis in Ge UTB pMOSFETs: Dependence on body thickness, orientation and strain
    Mehrotra, Saumitra R ; Paul, Abhijeet ; et al.
    In: 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2011-12-01, S. 1-2
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    First Principle Study of Si and Ge Band Structure for UTB MOSFETs Applications
    Low, T. ; Feng, Y.P. ; et al.
    In: 2005 International Semiconductor Device Research Symposium, 2005, S. 358-359
    Konferenz
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    First Principle Study of Si and Ge Band Structure for UTB MOSFETs Applications
    Low, T. ; Feng, Y.P. ; et al.
    In: 2005 International Semiconductor Device Research Symposium, 2005, S. 384-385
    Konferenz
    Wie komme ich dran?

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