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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Maeda, Tatsuro ; Kurashima, Yuichi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), S. 4615-4621
    Online unknown
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    First experimental observation of channel thickness scaling (down to 3 nm) induced mobility enhancement in UTB GeOI nMOSFETs
    Hattori, Hiroyuki ; Takagi, Hideki ; et al.
    In: 2017 Symposium on VLSI Technology, 2017-06-01
    Online unknown
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    Modeling Study of the Impact of Surface Roughness on Silicon and Germanium UTB MOSFETs
    Kwong, Dim-Lee ; Zhu, Chunxiang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-11-01), S. 2430-2439
    Online unknown
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    Experimental study on superior mobility in [110]-oriented UTB SOI pMOSFETs
    Tsutsui, Gen ; Saitoh, Masumi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 26 (2005-11-01), S. 836-838
    Online unknown
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    Ballistic hole injection velocity analysis in Ge UTB pMOSFETs: Dependence on body thickness, orientation and strain
    Klimeck, Gerhard ; Tan, Yaohua ; et al.
    In: 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), 2011-12-01
    Online unknown
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    First Principle Study of Si and Ge Band Structure for UTB MOSFETs Applications
    Yuan Ping Feng ; Li, Ming-Fu ; et al.
    In: 2005 International Semiconductor Device Research Symposium, 2005
    Online unknown
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    Low-Field Electron Mobility in Stressed UTB SOI MOSFETs for Different Substrate Orientations
    Selberherr, Siegfried ; Ungersboeck, E. ; et al.
    In: ECS Meeting Abstracts, 2006-06-30, S. 1397-1397
    Online unknown
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