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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    KUMAR, Ajit ; PRAMOD KUMAR, TIWARI
    In: Solid-state electronics, Jg. 95 (2014), S. 52-60
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Simulation of Ab Initio Quantum Confinement Scattering in UTB MOSFETs Using Three-Dimensional Ensemble Monte Carlo
    RIDDET, Craig ; ALEXANDER, Craig ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 3, S. 600-608
    academicJournal
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel-Hasegawa-Nakayama model - Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    WINDBACHER, Thomas ; SVERDLOV, Viktor ; et al.
    In: Selected Full-Length Extended Papers from the EUROSOI 2009 Conference, Jg. 54 (2010), Heft 2, S. 137-142
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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    A continuous analytic I-V model for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    JIN, HE ; MANSUN, CHAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 3, S. 261-266
    academicJournal
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    Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and germanium UTB MOSFETs
    LOW, Tony ; LI, Ming-Fu ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 52 (2005), Heft 11, S. 2430-2439
    academicJournal
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    Experimental study on superior mobility in (110)-oriented UTB SOI pMOSFETs
    TSUTSUI, Gen ; SAITOH, Masumi ; et al.
    In: IEEE electron device letters, Jg. 26 (2005), Heft 11, S. 836-838
    academicJournal
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