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    Interface States Characterization of UTB SOI MOSFETs From the Subthreshold Current
    Vermeer, Matthias L. ; Hoentschel, Jan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), Heft 2, S. 497-502
    Online unknown
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    Impact of Temperature on the Reliability of UTB-DG-FE-TFETs and Their RF/Analog and Linearity Parameter Dependence
    Gopal, Girdhar ; Varma, Tarun
    In: Journal of Electronic Materials ; volume 52, issue 9, page 6293-6307 ; ISSN 0361-5235 1543-186X, 2023
    Online academicJournal
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    Physical Model of the Junctionless UTB SOI-FET
    Reggiani, Susanna ; Baccarani, Giorgio ; et al.
    2012
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Martinez, Frédéric ; Ricoma, M. ; et al.
    2011
    Online unknown
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    High frequency performance of sub-100 nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack
    Lepilliet, Sylvie ; Buj, Christel ; et al.
    2009
    Online unknown
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    Effects of sidewall spacer layers on thermal and low frequency noise performance of SOI UTB MOSFETs
    Bhattacherjee, Swagata ; Biswas, Abhijit
    In: Microsystem Technologies ; volume 28, issue 3, page 653-658 ; ISSN 0946-7076 1432-1858, 2018
    Online academicJournal
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    Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model
    Maity, Subir Kumar ; Pandit, Soumya
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 101, page 362-372 ; ISSN 0749-6036, 2017
    Online academicJournal
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    2D physics-based closed-form modeling of dopant-segregated Schottky barrier UTB MOSFETs
    Schwarz, Mike ; Kloes, Alexander ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 99, page 65-77 ; ISSN 0038-1101, 2014
    Online academicJournal
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    Karsenty, A. ; Chelly, A.
    In: Solid-State Electronics ; volume 91, page 28-35 ; ISSN 0038-1101, 2014
    Online academicJournal
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Kumar, Ajit ; Tiwari, Pramod Kumar
    In: Solid-State Electronics ; volume 95, page 52-60 ; ISSN 0038-1101, 2014
    Online academicJournal
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    Binary alloy enabled gate work function engineering of nanoscale UTB-GeOI MOSFETs for mixed-signal system-on-chip applications
    Mondal, Chandrima ; Biswas, Abhijit
    In: Superlattices and Microstructures ; volume 75, page 118-126 ; ISSN 0749-6036, 2014
    Online academicJournal
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    A physical compact DC drain current model for long-channel undoped ultra-thin body (UTB) SOI and asymmetric double-gate (DG) MOSFETs with independent gate operation
    Lime, F. ; Ritzenthaler, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 57, issue 1, page 61-66 ; ISSN 0038-1101, 2011
    Online academicJournal
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 2 efficient self-consistent numerical solution of the k·p schrödinger equation
    Baumgartner, Oskar ; Karner, Markus ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 2, page 143-148 ; ISSN 0038-1101, 2010
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    Electron subband structure in strained silicon UTB films from the Hensel–Hasegawa–Nakayama model – Part 1 analytical consideration and strain-induced valley splitting
    Windbacher, Thomas ; Sverdlov, Viktor ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 2, page 137-142 ; ISSN 0038-1101, 2010
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    Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 54, issue 5, page 545-551 ; ISSN 0038-1101, 2010
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    High frequency performance of sub-100nm UTB-FDSOI featuring TiN/HfO2 gate stack
    Lim, Tao Chuan ; Rozeau, Olivier ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 53, issue 4, page 433-437 ; ISSN 0038-1101, 2009
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    Analytical models of front- and back-gate potential distribution and threshold voltage for recessed source/drain UTB SOI MOSFETs
    Sviličić, B. ; Jovanović, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 53, issue 5, page 540-547 ; ISSN 0038-1101, 2009
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    Parameter modeling for higher-order transport models in UTB SOI MOSFETs
    Vasicek, Martin ; Cervenka, Johann ; et al.
    In: Journal of Computational Electronics ; volume 7, issue 3, page 168-171 ; ISSN 1569-8025 1572-8137, 2008
    Online academicJournal
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    Compact charge and capacitance modeling of undoped ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Moldovan, Oana ; Chaves, Ferney A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics ; volume 52, issue 12, page 1867-1871 ; ISSN 0038-1101, 2008
    Online academicJournal
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    Two Dimensional Analytical Potential Modeling of Nanoscale Symmetric Double Gate (SDG) MOSFET with Ultra Thin Body (UTB)
    Vishvakarma, Santosh Kumar ; Agrawal, Vinit ; et al.
    In: Journal of Computational and Theoretical Nanoscience ; volume 4, issue 6, page 1144-1148 ; ISSN 1546-1955 1546-1963, 2007
    Online academicJournal
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