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    HAD fabricated on UTB AlGaN/GaN heterostructure for high‐sensitivity zero‐bias microwave detection
    Chen, Kuangli ; Yun, Yu ; et al.
    In: Electronics Letters, Jg. 55 (2019-11-01), S. 1303-1305
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    Effects of sidewall spacer layers on thermal and low frequency noise performance of SOI UTB MOSFETs
    Bhattacherjee, Swagata ; Biswas, Abhijit
    In: Microsystem Technologies, Jg. 28 (2018-09-22), S. 653-658
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    First Experimental Observation of Channel Thickness Scaling Induced Electron Mobility Enhancement in UTB-GeOI nMOSFETs
    Maeda, Tatsuro ; Kurashima, Yuichi ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-11-01), S. 4615-4621
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    Modeling of Back-Gate Effects on Gate-Induced Drain Leakage and Gate Currents in UTB SOI MOSFETs
    Sachid, Angada B. ; Khandelwal, Sourabh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-10-01), S. 3986-3990
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    Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model
    Pandit, Soumya ; Subir Kumar Maity
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 101 (2017), S. 362-372
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    Binary alloy enabled gate work function engineering of nanoscale UTB-GeOI MOSFETs for mixed-signal system-on-chip applications
    Biswas, Abhijit ; Mondal, Chandrima
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 75 (2014-11-01), S. 118-126
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    A threshold voltage model of short-channel fully-depleted recessed-source/drain (Re-S/D) UTB SOI MOSFETs including substrate induced surface potential effects
    Pramod Kumar Tiwari ; Kumar, Ajit
    In: Solid-State Electronics, Jg. 95 (2014-05-01), S. 52-60
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    Comparative study of NSB and UTB SOI MOSFETs characteristics by extraction of series resistance
    Chelly, Avraham ; Karsenty, Avi
    In: Solid-State Electronics, Jg. 91 (2014), S. 28-35
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    Threshold Voltage Design of UTB SOI SRAM With Improved Stability/Variability for Ultralow Voltage Near Subthreshold Operation
    Chuang, Ching-Te ; Fan, Ming-Long ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nanotechnology, Jg. 12 (2013-07-01), S. 524-531
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    Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices Using a Voronoi Approach
    Fan, Ming-Long ; Chou, Shao-Heng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 60 (2013-04-01), S. 1485-1489
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    Extended MASTAR Modeling of DIBL in UTB and UTBB SOI MOSFETs
    Kilchytska, Valeriya ; Andrieu, Francois ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012), S. 247-251
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    Electronic Structure of GaxIn1-xSbyAs1-y: Band Alignments Based on UTB Calculations
    Shim, Kyu-Rhee
    In: Journal of the Korean Vacuum Society, Jg. 20 (2011-11-30), S. 461-467
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    Investigation of Thermal Noise in UTB GOI and SOI Devices
    Pei, Yunpeng ; Xiao, Han ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 55 (2008-05-01), S. 1203-1210
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    Carrier Mobility/Transport in Undoped-UTB DG FinFETs
    Fossum, Jerry G. ; Trivedi, Vishal P. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 54 (2007-05-01), S. 1125-1131
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    Recessed source/drain for sub-50 nm UTB SOI MOSFET
    Li, Dingyu ; Zhang, Shengdong ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2007-04-23), S. 577-583
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    A continuous analyticI–Vmodel for long-channel undoped ultra-thin-body silicon-on-insulator (UTB-SOI) MOSFETs from a carrier-based approach
    Chan, Mansun ; Zhang, Ganggang ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 21 (2006-01-20), S. 261-266
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    Modeling Study of the Impact of Surface Roughness on Silicon and Germanium UTB MOSFETs
    Kwong, Dim-Lee ; Zhu, Chunxiang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-11-01), S. 2430-2439
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    A Novel Nanoscaled Device Concept: Quasi-SOI MOSFET to Eliminate the Potential Weaknesses of UTB SOI MOSFET
    Wang, Yangyuan ; Zhang, Xing ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-04-01), S. 561-568
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs
    Wang, Yangyuan ; Zhang, Xing ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 49 (2005-03-01), S. 479-483
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    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS
    Pacha, Christian ; Landgraf, Erhard ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-04-01), S. 521-527
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